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美高梅163888分享全面针对LED芯片进行解密,购买显示屏注意啦

发布时间:2019-10-14 14:36:36 作者:LED柔性异形显示屏 来源: 浏览量:883
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导读:我们想要更多了解LED显示屏,LED柔性屏等产品,需要从他们的内容深入了解,每个产品的核心在于芯片,而这都是所有产品的大脑,就跟电脑一样,cpu是核心,没有它,电脑将无法正常工作,因此我们首先需要了解LED显示屏芯片的整个知识点,为什么好的产品都是体现在芯片上的不同!下面就跟随美高梅163888小编来跟大家一起通过问答的形式了解!

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LED柔性显示屏

1、LED芯片为什么要分成诸如8mil、9mil、…,13∽22mil,40mil等不同尺寸?尺寸大小对LED光电性能有哪些影响?

LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明等类别。至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定,没有具体的要求。只要工艺过关,芯片小可提高单位产出并降低成本,光电性能并不会发生根本变化。

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芯片的使用电流实际上与流过芯片的电流密度有关,芯片小使用电流小,芯片大使用电流大,它们的单位电流密度基本差不多。如果10mil芯片的使用电流是20mA的话,那么40mil芯片理论上使用电流可提高16倍,即320mA。但考虑到散热是大电流下的主要问题,所以它的发光效率比小电流低。另一方面,由于面积增大,芯片的体电阻会降低,所以正向导通电压会有所下降。

2、LED大功率芯片一般指多大面积的芯片?为什么?

用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右,所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。由于量子效率一般小于20?大部分电能会转换成热能,所以大功率芯片的散热很重要,要求芯片有较大的面积。

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3、LED芯片制造工序中,哪些工序对其光电性能有较重要的影响?

LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型,芯片制造不对其产甞核本性改变,但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良,欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。在切割后,如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺,对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。这是因为用金刚石砂轮刀片切割后,芯片边缘会残留较多的碎屑粉末,这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电,甚至会有击穿现象。另外,如果芯片表面光刻胶剥离不干净,将会造成正面焊线难与虚焊等情况。如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。

4、LED芯片的制造流程是怎样的?

光刻工序结束后还要通过合金化过程,合金化通常是在H2或N2的保护下进行。合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂,需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极,并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫,同时尽可能多地出光。

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